我市第三代半导体材料产业发力

　　11月16日，记者在河北同光晶体有限公司了解到，由该公司技术团队自主研发的4英寸碳化硅晶片已“出炉”，经鉴定已达国内领先水平，明年“五一”前可达量产。

　　“4英寸碳化硅晶片目前是国际主流，也是我们的主攻方向。”公司董事长郑清超对记者说，“经过一年来的实验和工艺改进，晶片成本得以大幅降低，量产后可以实现更大的经济效益。”

　　河北同光晶体有限公司成立于2012年5月28日，是一家国内资本和美国归国的技术团队组建的民营企业，主要从事世界上最新一代半导体材料SiC单晶片的研发和生产。

　　碳化硅半导体材料是继硅、砷化镓之后最为成熟的第三代半导体材料之一。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅半导体不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件，可应用于硅器件难以胜任的场合。碳化硅单晶材料广泛应用于电力电子器件、光电子器件等领域，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。

　　据介绍，同光公司的碳化硅单晶项目完全为公司自主研发，目前已申请国内发明专利10个，实用新型专利19个，制定企业标准1项，推出新产品1项。同光公司还与中科院半导体所共同组建“SiC单晶材料与应用研究联合实验室”,同时作为主承担单位，承担国家863“大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究”课题；公司的《直径2英寸高质量碳化硅晶片》项目荣获保定市科学技术进步奖。

　　经鉴定，同光公司已量产的2英寸SiC单晶片已具备世界先进水平，4英寸碳化硅晶片已达国内领先水平。

　　碳化硅单晶项目一期规划总投资3亿元，共计可形成50台生长炉的生产规模，主产4英寸晶片，预计年产能为50000片。以每片售价1000美元来计算，则年销售额可达5000万美元，折合人民币约3亿元，可实现利税约1.5亿元。