临空经济区组织举行富能高功率芯片生产项目桩基开工仪式
3月15日,济南临空经济区组织举行富能高功率芯片生产项目桩基开工仪式,济南高新区党工委委员、管委会副主任张金龙参加活动。
富能高功率芯片生产项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件(主要生产MOSFET(金氧半场效晶体管)、CoolMos、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件)和6寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地,项目一期用地317.92亩,建筑面积约24.5万平方米,投资50.53亿元。今天开工之后,十月底将完成部分主体施工,明年一季度全部建成使用。项目投产后可实现65亿元以上的营收。该项目是中国大陆地区功率器件技术起点最高的项目,具备全球行业前五的技术实力,产品应用将基于智能手机、8K电视、5G 通信、工业互联网等,重点面向各种消费类和车载应用等主流市场。本项目的落地也彻底打破了我市乃至我省半导体集成电路产业缺乏龙头项目的局面。
产发集团领导,高新区管委会主任助理刘业朝,以及市投促局、市财政局,高新区相关单位人员参加活动。
编辑: 孙凯