突破一批关键核心技术和产业技术瓶颈促进产业链协同发展我市奋力打造第三代半导体产业基地

本月19日至21日，2023世界半导体大会将在南京举办。大会以“芯纽带，新未来”为主题，聚焦行业新市场、新产品、新技术，积极探讨未来发展方向与机遇，促进全球半导体产业链协同发展。

******在江苏考察时强调，要把坚守实体经济、构建现代化产业体系作为强省之要，巩固传统产业领先地位，加快打造具有国际竞争力的战略性新兴产业集群，推动数字经济与先进制造业、现代服务业深度融合，全面提升产业基础高级化和产业链现代化水平，加快构建以先进制造业为骨干的现代化产业体系。

牢记******殷殷嘱托，我市锚定产业强市建设战略部署，将第三代半导体产业集群作为需积极抢占的六个未来产业新赛道之一，紧抓机遇，奋力打造国内具有影响力的第三代半导体产业基地。

高质量企业云集，构建链式布局

建立完善具有自主知识产权的碳化硅JBS二极管等芯片工艺，形成650V—6500V系列产品；在固态器件领域建立第一、二、三代半导体自主发展体系；建立国内第一条6英寸碳化硅电力电子器件批量生产线……

作为我市第三代半导体产业集群重点企业，中国电科55所瞄准重点领域不断突破关键核心技术，加快创新成果转化，助力产业加速发展。

走进55所，只见碳化硅器件工艺线运转不停，碳化硅研发团队正探讨关键技术攻关方向与思路。研发团队介绍，他们陆续攻克高温高能离子注入、高迁移率栅氧化等关键工艺难题，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。

凭借耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，55所研制的第三代半导体碳化硅器件成为新能源汽车所需的关键元器件。目前，碳化硅MOSFET芯片已为一线车企百万辆新能源汽车批量供货。

作为国内领先的第三代半导体企业之一，位于江北新区的江苏超芯星半导体有限公司成立于2019年，专注于大尺寸SiC衬底，也是我市唯一的第三代半导体衬底生产企业。

超芯星相关负责人介绍，公司拥有装备、材料制备、晶片加工等多项核心长晶技术，可实现6英寸碳化硅晶体、衬底批量生产。2022年7月，超芯星6英寸碳化硅衬底顺利进入美国一流器件厂商。

目前，该公司正有序交货及稳步扩产，计划将6—8英寸碳化硅衬底年产量提升至150万片，这家初创企业有望跃升为产值过亿的优质企业。

高质量企业云集，形成链式发展。

同样位于江北新区的南京华易泰电子科技有限公司是国内半导体和面板行业设备领域的新秀，截至去年底已完成半导体与面板设备出货超2亿元，成为我市培育独角兽企业。

第三代半导体可显著提高电力电子、微波射频和光电子等器件性能，是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、新一代显示与光源等产业发展的重点核心材料，具有巨大发展空间和广阔市场前景。

据了解，我市第三代半导体产业具有良好的发展基础，构建了从设备、材料、芯片、器件到应用的产业链重点环节布局，集聚了一批具备核心竞争力的优质企业，部分技术达到国际国内先进水平。

“在12英寸半导体级单晶硅炉设计和制造方面，我们掌握了设备设计、晶体生长工艺及控制等技术，解决了半导体级单晶硅生长过程中的多项核心难题。”南京晶升装备股份有限公司相关负责人说。

创新提供了源源动力，更为企业赢得跨越式发展。今年4月，晶升装备登陆上交所科创板，成为今年成功上市的第四家南京企业。

2020年9月才成立的江苏芯德半导体科技有限公司，2022年营收就突破了3亿元，今年营收预计将大大超过去年。

“这一切，离不开我们在封测领域掌握的核心技术。”公司总经理潘明东说，芯德半导体的研发创新能力在行业内名列前茅，自成立之初就着手专利布局，拥有一批授权实用新型专利。为了掌握独立自主的核心技术，公司专门设立技术委员会，布局攻关先进封装项目，高标准选用资深工程和管理人员。

国家级平台激发活力，科教资源凸显优势

超净厂房里，科研人员坐在电脑前操控，一台台精密仪器自动化运行；生产车间里，自动测试台正在对一片已完工的6英寸SiC晶圆进行测试，比绣花针还要细的测试探针在芯片间高速移动……走进位于江宁开发区的国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台（以下简称创新中心），高科技“含量”十足的场景随处可见。

自2021年6月挂牌设立以来，创新中心不断取得科技创新领域突破，SiC（碳化硅）芯片已实现自主研发、自主生产，稳定了国内车企的供货渠道，已累计装载百万辆新能源车。

研发人员介绍，每一片晶圆上都分布着2000多个芯片，每个芯片长宽仅有2毫米左右。在测试环节中，探针会对芯片性能进行全面评估，性能数据迅速同步到数据中心，以便技术人员随时掌握产线生产状态。

个头虽小，本事挺大。“它是新能源车车载充电机的‘心脏’，能大大提高新能源车充电效率，减碳降耗。”创新中心主任陈辰介绍。

目前，创新中心主要围绕SiC器件技术开展研究工作，建立了成熟的SiC肖特基二极管和MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应管）产品技术并成功完成成果转化，其中，研发的中低压系列产品基本达到国外量产化技术水平，高压产品的核心指标达到国际先进水平。

重大平台支撑，带动产业跨越式发展。

创新中心利用55所现有SiC电力电子器件研发平台，通过南京市、江宁开发区投入带动，打造功能更先进的6英寸SiC电力电子器件研发和中试平台，以存量带动增量，既节约成本又缩短建设周期。

此外，南瑞联研则和中汽创智成立中汽创智—南瑞联研联合实验室，共同打造服务新型电力系统建设和新能源汽车领域发展战略需求、以产业化商品化为导向的SiC功率器件及应用研发创新平台。

创新研发，人才是第一资源。目前，创新中心拥有一支高水平技术团队，人员覆盖芯片设计、单项工艺、工艺整合、可靠性保障、应用支撑等方面。

雄厚的科教资源凸显优势，成为产业人才“蓄水池”。南京大学、东南大学等一批重点高校成立集成电路学院，在前沿技术研究、产学研合作、人才培育等方面为产业发展提供了有力支撑。

聚力重大项目新引擎，政企合力加速跑

今年初，超芯星传来喜讯，宣布完成亿元B轮融资，资金将用于超芯星二期项目的扩产、运营以及研发的持续投入。

几个月前，在江北新区举办的重点产业项目签约会上，“碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目”签约，总投资65亿元，该项目的建设单位正是超芯星。

位于江宁区的55所射频集成电路产业化项目也于今年初完工。该项目总投资30亿元，总建筑面积约15.2万平方米，主要面向新一代基础设施，建设布局射频集成电路设计、制造、封测等全产业链的关键环节。

聚力重大项目新引擎，产业加速发展添动力。近年来，我市第三代半导体产业集群在重大项目建设上持续发力。

《南京市推进产业强市行动计划（2023—2025年）》提出，在电力电子、射频电子、光电子、第三代和超宽禁带半导体材料等领域，突破一批关键核心技术和产业技术瓶颈，推动部分碳化硅电力电子器件产品技术和性能关键指标达到国际先进水平。

同时，支持国家第三代半导体技术创新中心（南京）聚焦重点领域开展核心技术攻关、先进中试平台打造、科研成果转化。以江宁开发区、江北新区为主要载体，加快建设第三代半导体特色产业园区，打造国内具有影响力的第三代半导体产业基地。

目标既定，任重道远。本月即将举行的2023世界半导体大会，为产业发展跑出“加速度”提供良机。

这场半导体领域国际国内人才、技术、资源交流的盛会，将举办高峰论坛、高质量发展企业家峰会、创新与应用峰会三大主论坛，紧扣热点、聚焦行业、坚持高端、会展联动成为大会主要特点。

据介绍，大会同期还将举办大型专业展览，设立IC设计、封装测试、制造、设备与材料四大重点展区以及人才专区，参展企业将为观众展示半导体行业先进的技术、高端的产品。展会采取线上加线下展览模式，按照“全网络、宽渠道”的思路，促进科技产品与商业模式有效结合。